Regensburg 2002 – scientific programme

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DS: Dünne Schichten

	Mon, 10:15–11:00	HS 31	DS 1: Elektrische und optische Eigenschaften I
	Mon, 11:00–12:30	HS 31	DS 2: Elektrische und optische Eigenschaften II
	Mon, 14:00–14:45	HS 31	DS 3: Schichtwachstum: Modellierung
	Mon, 15:00–15:30	HS 31	DS 4: Prozeßcharakterisierung
	Mon, 10:15–11:00	HS 32	DS 5: Strukturbildung und -chararkterisierung I
	Mon, 11:15–12:15	HS 32	DS 6: Strukturbildung und -chararkterisierung II
	Tue, 09:30–10:15	HS 31	DS 7: c-BN I
	Tue, 10:30–11:30	HS 31	DS 8: c-BN II
	Tue, 11:45–12:30	HS 32	DS 9: SYPO Kurzvortr äge
	Wed, 14:00–14:45	HS 31	DS 10: Diamant
	Wed, 14:45–15:30	HS 31	DS 11: Diamant und ta-C
	Wed, 15:45–16:30	HS 31	DS 12: Schichteigenschaften I
	Wed, 16:30–17:00	HS 31	DS 13: Schichteigenschaften II
	Wed, 14:00–15:00	HS 32	DS 14: organische Schichten
	Wed, 15:15–16:15	HS 32	DS 15: Ionenimplantation: Erzeugung, Nachweis und Ausheilung von Defekten
	Wed, 16:30–17:15	HS 32	DS 16: Ionenimplantation: Defect Engineering in Si / SiGe
	Thu, 09:30–10:15	HS 31	DS 17: Schichtherstellung I
	Thu, 10:15–10:45	HS 31	DS 18: Schichtherstellung II
	Thu, 11:00–11:45	HS 31	DS 19: Laserverfahren zur Schichtherstellung und Oberfl ächenmodifizierung I
	Thu, 11:45–12:30	HS 31	DS 20: Laserverfahren zur Schichtherstellung und Oberfl ächenmodifizierung II
	Thu, 14:00–14:45	HS 31	DS 21: Multilayer I
	Thu, 15:00–15:45	HS 31	DS 22: Multilayer II
	Thu, 09:30–10:15	HS 32	DS 23: Ionenimplantation: Ionenstrahlmischen
	Thu, 10:30–11:45	HS 32	DS 24: Ionenimplantation: Nanocluster- und Schichtsynthese
	Thu, 13:30–15:00	HS 32	DS 25: FV-internes Symposium „Strukturbildung durch Ionenstrahlen“ Teil I
	Thu, 15:30–17:30	HS 32	DS 26: FV-internes Symposium „Strukturbildung durch Ionenstrahlen“ Teil II
	Tue, 15:30–17:30	Poster Physik B	DS 27: Postersitzung