Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 45: Grenz- und Oberfl
ächen

HL 45.5: Vortrag

Freitag, 15. März 2002, 13:00–13:15, H17

Optische Spektroskopie an BeTe(100) Oberflächenrekonstruktionen — •J.W. Wagner¹, V. Wagner¹, J. Geurts¹, P. Vogt², N. Esser² und W. Richter² — ¹Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Experimentelle Physik III, Am Hubland, D-97074 Würzburg — ²Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik

BeTe ist ein sehr wichtiges Material für elektro-optische Anwendungen, aufgrund seiner hohen p-Dotierbarkeit und seiner hohen Bandlücke
(4,2 eV). Außerdem ist BeTe nahezu gitterangepasst an GaAs und ZnSe.
Grundlagenphysikalisch ist BeTe durch seine extremen Eigenschaften aufgrund der sehr hohen Massenasymmetrie zwischen Be und Te von besonderem Interesse, z.B. bildet sich eine für II-VI-Halbleiter sehr untypische (3x1) Oberflächen(OF)-Rekonstruktion aus. Wir untersuchen unter Ultrahochvakuumbedingungen die BeTe(100)-OF, von der Te-reichen (2x1) bis zur extrem Be-reichen (3x1), mittels Reflexions Anisotropie Spektroskopie (RAS) und resonanter Ramanstreuung (RRS), wobei die OF-Rekonstruktionen mit LEED bestimmt wurde . An der Te-reichen (2x1) OF bilden sich Te-Dimere entlang der [011]-Hauptachsenrichtung aus, die durch Vergleich von first principles Rechnungen mit Ramanspektroskopie nachgewiesen werden können. Unter Benutzung der RRS konnte die Resonanz bei optischer Anregung zu 2,6 eV bestimmt werden. Extrem Be-reiche OF mit einer (3x1) OF-Rekonstruktion können durch Tempern bei 500 ^∘C päpariert werden. Dabei zeigt RAS deutlich unterschiedliche Spektren für die (2x1) und (3x1) OF, insbesondere im Bereich von 2,8 bis 4,8 eV. Für die ungewöhnliche (3x1) OF stellen wir ein mikroskopisches Modell vor, welches von first principles Rechnungen gestützt wird.