Dresden 2003 – scientific programme
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DS: Dünne Schichten
DS 13: Strukturbildung
DS 13.1: Talk
Wednesday, March 26, 2003, 16:45–17:00, GER/37
Einfluss der Schichtdicke auf strukturelle und optische Eigenschaften von In(2)O(3):Sn Schichten — •Dieter Mergel1, Zhaohui Qiao1 und Rudolf Latz2 — 1Universität Essen, 45117 Essen — 2Fachhochschule Gelsenkirchen, 45877 Gelsenkirchen
Polykristalline ITO Schichten mit Dicken von 50 nm bis 1.8 micro-m wurden mit dc Magnetron-Sputtern bei 350 ’C hergestellt. Sie wurden durch Röntgenbeugung, optische Transmission und Röntgenfluoreszenz charakterisiert. Die Massendichte wurde durch Wiegen, Röntgenfluoreszenz und Abschwächung des Substrat-Reflexes bestimmt
Im Dickenbereich 0.4 bis 1.4 micro-m werden folgende Eigenschaften erzielt: Massendichten nahe am kristallinen Wert, geringe Gitterverzerrung, hohe Elektronendichte und -beweglichkeit, sowie eine Bandlücke von 4.1 eV.
Schichten, die dünner sind als 0.4 micro-m weisen solche für die Anwendung als transparente Elektroden vorteilhaften Eigenschaften nicht auf. Für alle Schichten nehmen Korngröße und Elektronendichte mit zunehmender Gitterverzerrung ab.
Die Eigenschaften werden durch unterschiedlichen Sauerstoffeinbau zu Beginn und während des weiteren Schichtwachstums erklärt.