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DS: Dünne Schichten

DS 13: Strukturbildung

DS 13.1: Vortrag

Mittwoch, 26. März 2003, 16:45–17:00, GER/37

Einfluss der Schichtdicke auf strukturelle und optische Eigenschaften von In(2)O(3):Sn Schichten — •Dieter Mergel¹, Zhaohui Qiao¹ und Rudolf Latz² — ¹Universität Essen, 45117 Essen — ²Fachhochschule Gelsenkirchen, 45877 Gelsenkirchen

Polykristalline ITO Schichten mit Dicken von 50 nm bis 1.8 micro-m wurden mit dc Magnetron-Sputtern bei 350 ’C hergestellt. Sie wurden durch Röntgenbeugung, optische Transmission und Röntgenfluoreszenz charakterisiert. Die Massendichte wurde durch Wiegen, Röntgenfluoreszenz und Abschwächung des Substrat-Reflexes bestimmt

Im Dickenbereich 0.4 bis 1.4 micro-m werden folgende Eigenschaften erzielt: Massendichten nahe am kristallinen Wert, geringe Gitterverzerrung, hohe Elektronendichte und -beweglichkeit, sowie eine Bandlücke von 4.1 eV.

Schichten, die dünner sind als 0.4 micro-m weisen solche für die Anwendung als transparente Elektroden vorteilhaften Eigenschaften nicht auf. Für alle Schichten nehmen Korngröße und Elektronendichte mit zunehmender Gitterverzerrung ab.

Die Eigenschaften werden durch unterschiedlichen Sauerstoffeinbau zu Beginn und während des weiteren Schichtwachstums erklärt.