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DS: Dünne Schichten

DS 20: Schichteigenschaften

DS 20.3: Vortrag

Donnerstag, 27. März 2003, 10:45–11:00, GER/38

XPS-Untersuchungen dünner PLD-Pr_xO_y-Schichten auf Si(100) — •Markus Ratzke¹, Dirk Wolfframm¹, Mathias Kappa¹, M.J. Montenegro², M. Döbeli², Thomas Lippert² und Jürgen Reif¹ — ¹IHP/BTU JointLab und BTU Cottbus, LS Experimentalphysik II, Universitätsplatz 3-4, 03044 Cottbus, Deutschland — ²Paul Scherrer Institut, 5232 Villigen, Schweiz

Dünne Pr_xO_y-Schichten wurden auf Si(100)-Oberflächen mittels Pulsed Laser Deposition (PLD) hergestellt. Die chemische Zusammensetzung der Pr_xO_y-Schichten unterschiedlicher Dicke wurde durch X-ray Photoelektronspektroskopie (XPS) untersucht. Die Pr_xO_y/Si-Grenzschicht besteht aus einem Silikat, die weitere Schicht aus zwei koexistierenden Pr-O-Suboxiden: Pr₂O₃, Pr₆O₁₁. Das Konzentrationsverhältnis beider Oxide bleibt konstant mit steigender Schichtdicke. Dies verwundert zunächst, da als Targetmaterial für die Laserverdampfung gesinterte Pr₆O₁₁-Proben verwendet wurden. Rutherford-Backscattering (RBS) Messungen am Pr₆O₁₁-Material zeigen jedoch, dass dort der Sauerstoffgehalt deutlich höher war, als stöchiometrisch erwartet. Ursache ist das starke hygroskopische Verhalten von Pr₆O₁₁. Dieser Fakt ist bei der Verwendung von Pr₆O₁₁ als Targetmaterial zu berücksichtigen.