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HL: Halbleiterphysik

HL 14: Poster I

HL 14.93: Poster

Montag, 24. März 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2

In-situ Wachstumscharakterisierung von Gruppe III-Nitriden in MOVPE mit spektroskopischer Ellipsometrie — •Torsten Schmidtling¹, Sven Peters², Massimo Drago¹, Udo W. Pohl¹ und Wolfgang Richter¹ — ¹Technische Universität Berlin, Institut f. Festkörperphysik, PN6-1, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — ²SENTECH Instruments GmbH, Carl-Scheele Str. 16, 12489 Berlin

Der Wachstumprozeß von Gruppe III-Nitriden ist wegen fehlender Homosubstrate ein mehrstufiges Verfahren unter Verwendung von Pufferschichten und deren thermischer Nachbehandlung (tempern) mit dem Ziel, die meist hohe Gitterfehlanpassung zu überwinden. Durch den gleichzeitigen Einsatz von spektroskopischer Ellipsometrie (SE) wird gezeigt, wie die verschiedenen Wachstumsparameter der Schichten die optischen und elektronischen Eigenschaften verändern. Untersucht werden das Wachstum von GaN und InN auf Saphir, wobei gerade im Falle von InN durch den Einsatz der Ellipsometrie hochwertige Schichten gewachsen werden konnten. Die Charakterisierung mit SE zeigt, daß die dielektrische Funktion von InN sowohl ein Bandgap von 1 eV aufweist wie auch eine Mehrzahl höherenergetischer Interbandübergänge im Bereich von 4,5 - 6 eV bei Raumtemperatur.