Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 14: Poster I
HL 14.93: Poster
Montag, 24. März 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2
In-situ Wachstumscharakterisierung von Gruppe III-Nitriden in MOVPE mit spektroskopischer Ellipsometrie — •Torsten Schmidtling1, Sven Peters2, Massimo Drago1, Udo W. Pohl1 und Wolfgang Richter1 — 1Technische Universität Berlin, Institut f. Festkörperphysik, PN6-1, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — 2SENTECH Instruments GmbH, Carl-Scheele Str. 16, 12489 Berlin
Der Wachstumprozeß von Gruppe III-Nitriden ist wegen fehlender Homosubstrate ein mehrstufiges Verfahren unter Verwendung von Pufferschichten und deren thermischer Nachbehandlung (tempern) mit dem Ziel, die meist hohe Gitterfehlanpassung zu überwinden. Durch den gleichzeitigen Einsatz von spektroskopischer Ellipsometrie (SE) wird gezeigt, wie die verschiedenen Wachstumsparameter der Schichten die optischen und elektronischen Eigenschaften verändern. Untersucht werden das Wachstum von GaN und InN auf Saphir, wobei gerade im Falle von InN durch den Einsatz der Ellipsometrie hochwertige Schichten gewachsen werden konnten. Die Charakterisierung mit SE zeigt, daß die dielektrische Funktion von InN sowohl ein Bandgap von 1 eV aufweist wie auch eine Mehrzahl höherenergetischer Interbandübergänge im Bereich von 4,5 - 6 eV bei Raumtemperatur.