Dresden 2003 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 24: GaN: Pr
äparation und Charakterisierung I
HL 24.15: Talk
Tuesday, March 25, 2003, 18:45–19:00, BEY/118
Lokalisierungseigenschaften und optische Verstärkung in kubischen InGaN/GaN Heterostrukturen — •Christoph Hums1, Matthias Dworzak1, Martin Strassburg1, Axel Hoffmann1, Shunfeng Li2, Alexander Khartchenko2, Donat J. As2 und Klaus Lischka2 — 1Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — 2Universität Paderborn, Fachbereich 6 Physik, Warburger Str. 100, 33098 Paderborn
Die im Vergleich zum hexagonalen GaN um 200 meV geringere Bandlückenenergie der kubischen Phase ermöglicht die Realisierung blau-grün emittierender Laserstrukturen. Für die gewünschte langwellige Verschiebung der Emissionsenergie ist hierbei ein geringerer In-Gehalt erforderlich. Zudem ist der Einfluss interner elektrischer Felder und somit die örtliche Separation von Elektronen und Löchern stark reduziert. Das erhöht die Lumineszenzeffizienz. Mittels temperaturabhängiger Photolumineszenzspektroskopie werden die Lokalisierungseigenschaften in der aktiven Zone kubischer InGaN/GaN/GaAs Laserstrukturen anhand des charakteristischen Verhaltens von Peakenergie und Halbwertsbreite der Emission unterschieden sowie die Aktivierungsenergie der Lokalisierungszentren ermittelt. Untersuchungen bei höheren Anregungsdichten geben Aufschluss, welche Gewinnmechanismen auftreten und welchen Einfluss die Lokalisierungseigenschaften auf die Lasing- Schwellwertdichte besitzen. Schließlich führt der geringere In-Gehalt zu einer homogeneren In- Verteilung in der aktiven Zone, was durch die unterdrückte Blauverschiebung der Emissionsenergie mit zunehmender Anregungsdichte belegt wird.