Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 35: Quantenpunkte und -dr
ähte: Optische Eigenschaften I
HL 35.4: Vortrag
Mittwoch, 26. März 2003, 18:15–18:30, BEY/154
Autokorrelations-Spektroskopie von Exzitonen in GaInAs/GaAs-Einzel-Quantenfilmen — •U. Neuberth1, G. von Freymann1, M. Wegener1, S. Nau2 und W. Stolz2 — 1Institut für Angewandte Physik, Universität Karlsruhe (TH), 76128 Karlsruhe — 2Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften und Fachbereich Physik, Philipps-Universität Marburg, 35032 Marburg
Die Technik der Autokorrelationsspektroskopie erlaubt es [1], die
Statistik
der Energieniveaus von Exzitonen in rauhen Halbleiter-Einzelquantenfilmen
auszumessen. Hierbei hilft die optische Nahfeldmikroskopie insofern, dass
sie die Zahl der Einzellinien im Einzelspektrum stark reduziert.
Diese Kombination wurde von uns bereits auf das CdSe/ZnSe und das
GaAs/AlGaAs Materialsystem angewendet. Hier präsentieren wir
Experimente
an einzelnen Ga0.89In0.11As/GaAs Quantenfilmen.
Zwei Aspekte machen dieses System interessant: i) Die mittlere
Linienbreite der Photolumineszenz liegt im Bereich von 2 meV, das
Unordungspotential hat also eine Tiefe, die deutlich geringer als die
Exzitonbindungsenergie ist. ii) Die vergrabene Grenzfläche GaInAs/GaAs
kann mittels AFM sichtbar gemacht werden [2], sodass unabhängige
Informationen zum Unordnungspotential vorliegen.
Bei Temperaturen von T=10 K finden wir ein Maximum in der
Autokorrelationsfunktion um 1.8 meV Energiedifferenz, das wir
quantisierten Exzitonzuständen zuordnen.
[1] G. von Freymann et al., Phys. Rev. B 65, 205327 (2002)
[2] S. Nau et al., Springer Proceedings in Physics 87, 435 (2001)