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Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

Mo, 09:30–11:45 HS 31 DS 1: Ionenimplantation I
Mo, 11:45–12:30 HS 31 DS 2: Ionenimplantation II
Mo, 14:30–16:00 HS 31 DS 3: Ionenimplantation III
Mo, 16:00–17:00 HS 31 DS 4: Prozesscharakterisierung
Mo, 09:30–10:15 HS 32 DS 5: Spezielle Schichten I
Mo, 10:15–11:30 HS 32 DS 6: Spezielle Schichten II
Mo, 11:30–12:30 HS 32 DS 7: Spezielle Schichten III
Mo, 14:30–15:15 HS 32 DS 8: Dünnschichtanalytik I
Mo, 15:15–17:15 HS 32 DS 9: Dünnschichtanalytik II
Di, 09:30–12:50 HS 32 DS 10: FV-internes Symposium „Analytische Elektronenmikroskopie an dünnen Schichten“
Mi, 14:30–15:15 HS 31 DS 11: Schichteigenschaften I
Mi, 15:15–16:45 HS 31 DS 12: Schichteigenschaften II
Mi, 16:45–18:00 HS 31 DS 13: Schichteigenschaften III
Mi, 14:30–16:15 HS 32 DS 14: Schichtwachstum
Mi, 16:15–18:00 HS 32 DS 15: Oberfl
ächenmodifizierung
Do, 14:30–15:15 HS 31 DS 16: Schichtherstellung I
Do, 15:15–16:45 HS 31 DS 17: Schichtherstellung II
Do, 16:45–18:15 HS 31 DS 18: Schichtherstellung III
Do, 09:30–12:50 HS 32 DS 19: FV-internes Symposium „Dünne Schichten für die Photovoltaik I“
Do, 14:30–15:45 HS 32 DS 20: Dünne Schichten für die Photovoltaik II
Do, 15:45–17:00 HS 32 DS 21: Dünne Schichten für die Photovoltaik III
Di, 14:30–17:00 Poster B DS 22: Postersitzung
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