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Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 22: Postersitzung

DS 22.13: Poster

Dienstag, 9. März 2004, 14:30–17:00, Poster B

Hochdosis-Magnesium-Implantation in Silizium — •M. Häberlen1, W. Y. Cheung2, J. K. N. Lindner1, S.P. Wong2 und B. Stritzker11Institut für Physik, Universität Augsburg, Universitätsstrasse 1, D-86135 Augsburg — 2Department for Electronic Engineering and Materials Science and Technology Research Center, The Chinese University of Hong Kong, Hong Kong, China

Die Bildung binärer Siliziumverbindungen durch Hochdosis-Implantation wurde in den vergangenen Jahren intensiv untersucht. Insbesondere die Bildung von Ausscheidungen mit kubischer Kristallstruktur, die entweder sehr gut (z.B. NiSi2 und CoSi2), oder nur bei großem negativem Misfit (3C-SiC) in das Wirtsgitter passen, wurde dabei intensiv studiert. Wenig bekannt ist über die Bildung und Eigenschaften von Alkali-Metallsiliziden. Magnesium bildet als einzige stabile Phase das kubische Mg2Si, mit einem Misfit von +17 % gegenüber c-Si.

Die Bildung Magnesium-reicher Phasen noch Hochdosis-Mg-MEVVA-Implantation bei Temperaturen zwischen 200 C und 350 C wurde systematisch mittels RBS, XRD, XTEM und EDX untersucht.

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