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DS: Dünne Schichten
DS 22: Postersitzung
DS 22.2: Poster
Dienstag, 9. März 2004, 14:30–17:00, Poster B
MOVPE von AIIIBV-Verbindungen auf Ge-Substraten — •Sebastian Scholz1, Helmut Herrnberger1, Volker Gottschalch1 und Dietmar Hirsch2 — 1Universität Leipzig, Institut für Anorganische Chemie, Linnestr. 3, 04103 Leipzig — 2Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V, Permoserstr. 15, 04303 Leipzig
Der Einsatz von Ge-Substraten ist für die Applikation von Mehrschichtsolarzellen auf AIIIBV-Basis von besonderem Interesse.
Mit der LP-MOVPE wurden im Standardsystem (TMGa, AsH3) GaAs-Schichten unterschiedlicher Dicken auf (100)- und fehlorientierten Ge-Substraten mit dem Ziel der Baufehlerminimierung abgeschieden. Das Studium des Wachstums, und speziell des Anfangswachstums, erfolgte bei Variation des V/III-Verhältnisses, der Züchtungstemperatur und der Wachstumsrate. Zur strukturellen Charakterisierung des epitaktischen Materials wurden AFM-, Röntgen-, TEM-Messungen und die chemische Ätztechnik eingesetzt. GaAs-Schichten mit guter Oberflächenmorphologie und Monolagenstufen wurden im Temperaturbereich von 650 bis 700 ∘C bei einem optimalen V/III-Verhältnis gezüchtet.