Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 22: Postersitzung

DS 22.40: Poster

Dienstag, 9. März 2004, 14:30–17:00, Poster B

Eigenschaften magnetischer Tunnelelemente mit ECWR-Plasma oxidierten Barrieren — •Rainer Kaltofen, Ingolf Mönch, Joachim Schumann, Dieter Elefant und Hartmut Vinzelberg — IFW Dresden, Postfach 270116, 01171 Dresden

Für die Verwendung von magnetischen Tunnelelementen als Sensoren oder Speicher sind Tunnelbarrieren mit unterschiedlichen Widerständen erforderlich. Die chemisch-strukturelle und morphologische Perfektion der eingesetzten Tunnelbarrieren bestimmt den Tunnelwiderstand, das magnetische Schaltverhalten und die Stabilität der Elemente. In dieser Arbeit wird die Herstellung von AlO_x-Barrieren durch Oxidation von Al-Schichten unterschiedlicher Dicke in einem Elektron-Zyklotron-Wellen-Resonanz angeregten Sauerstoffplasma untersucht. In Abhängigkeit von den Betriebsbedingungen der Plasmaquelle variiert die Dissoziation der Sauerstoffmoleküle in O-Atome und -Ionen zwischen 20 und 80%, die kinetische Energie der Ionen beim Auftreffen auf die Al-Schicht zwischen 20 und 50 eV. Es wurden Tunnelwiderstände zwischen 100kΩ µm² und 100MΩ µm² eingestellt, und aus den Tunnelkennlinien Parameter der Barriere ermittelt. Der Tunnelmagnetowiderstand wurde für ungetemperte und zur Bildung der antiferromagnetischen NiMn-Phase bis 700K getemperte NiMn/CoFe/AlO_x/CoFe/FeNi Schichtstapel bestimmt.