Regensburg 2004 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 27: GaN: Pr
äparation und Charakterisierung

HL 27.16: Talk

Wednesday, March 10, 2004, 19:00–19:15, H15

Optische Charakterisierung von Nitridhalbleitern und deren Oberflächen mittels spektroskopischer Ellipsometrie — •Christoph Cobet¹, Munise Rakel¹, Thomas Säuberlich¹, Thorsten Schmidtling¹, Massimo Drago¹, Rüdiger Goldhahn², Wolfgang Richter¹ und Norbert Esser³ — ¹Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin — ²Institut für Physik, Technische Universität Ilmenau — ³Institute of Spectrochemistry and Applied Spectroscopy Department Berlin-Adlershof

Mittels spektroskopischer Ellipsometrie wurde von den Nitridhalbeitern GaN, AlN und InN sowie deren Mischkristalle die dielektrische Funktion (ε/ε_xyz) im Spektralbereich des optischen Bandabstandes sowie der höheren Interbandübergänge (1-30eV) gemessen. Aus den charakteristischen Strukturen der dielektrischen Funktion werden Lage und Art der Interbandübergängen bzw. Core-level-Anregungen bestimmt und durch den Vergleich der optischen Daten verschieden präparierter Proben Informationen über kristalline Orientierung und Qualität gewonnen. Darüber hinaus werden mit Hilfe von ab-initio-DFT-LDA-Rechnungen Aussagen über die elektronische Struktur abgeleitet. Die sehr hohe Genauigkeit der spektroskopischen Ellipsometrie gegenüber Oberflächenterminierungen ermöglichte uns weiterhin eine Untersuchung der Oberfläche während des Kristallwachstums in der MOVPE (Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy) und in der PAMBE (Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy). Dadurch konnten für die beide Wachstumsmethoden unterschiedliche Oberflächenrekonstruktionen und Oberflächenterminierungen nachgewiesen werden.