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HL: Halbleiterphysik
HL 27: GaN: Pr
äparation und Charakterisierung
HL 27.16: Talk
Wednesday, March 10, 2004, 19:00–19:15, H15
Optische Charakterisierung von Nitridhalbleitern und deren Oberflächen mittels spektroskopischer Ellipsometrie — •Christoph Cobet1, Munise Rakel1, Thomas Säuberlich1, Thorsten Schmidtling1, Massimo Drago1, Rüdiger Goldhahn2, Wolfgang Richter1 und Norbert Esser3 — 1Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin — 2Institut für Physik, Technische Universität Ilmenau — 3Institute of Spectrochemistry and Applied Spectroscopy Department Berlin-Adlershof
Mittels spektroskopischer Ellipsometrie wurde von den Nitridhalbeitern GaN, AlN und InN sowie deren Mischkristalle die dielektrische Funktion (ε/εxyz) im Spektralbereich des optischen Bandabstandes sowie der höheren Interbandübergänge (1-30eV) gemessen. Aus den charakteristischen Strukturen der dielektrischen Funktion werden Lage und Art der Interbandübergängen bzw. Core-level-Anregungen bestimmt und durch den Vergleich der optischen Daten verschieden präparierter Proben Informationen über kristalline Orientierung und Qualität gewonnen. Darüber hinaus werden mit Hilfe von ab-initio-DFT-LDA-Rechnungen Aussagen über die elektronische Struktur abgeleitet. Die sehr hohe Genauigkeit der spektroskopischen Ellipsometrie gegenüber Oberflächenterminierungen ermöglichte uns weiterhin eine Untersuchung der Oberfläche während des Kristallwachstums in der MOVPE (Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy) und in der PAMBE (Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy). Dadurch konnten für die beide Wachstumsmethoden unterschiedliche Oberflächenrekonstruktionen und Oberflächenterminierungen nachgewiesen werden.