Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 3: Quantenpunkte und -dr
ähte: Herstellung und Charakterisierung

HL 3.9: Vortrag

Montag, 8. März 2004, 12:15–12:30, H17

Untersuchung des Einflusses von Stickstoffbeimischungen in InAs/GaAs Quantenpunkte mit Rastertunnelmikroskopie an Querschnittsflächen — •Mandy Baudach¹, Sebastian Kai Becker¹, Holger Eisele¹, Rainer Timm¹, Jan Grabowski¹, Tai-Yang Kim¹, Lena Ivanova¹, Andrea Lenz¹, Ferdinand Streicher¹, Mario Dähne¹, Oliver Schumann², Lutz Geelhaar² und Henning Riechert² — ¹Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin — ²Infineon Technologies,Corporate Research Photonics, D-81730 München

Mittels Rastertunnelmikroskopie an Querschnittsflächen (XSTM) wurden vergrabene InAs Quantenpunkt-Doppelstapel mit einer GaAs-Zwischenschicht untersucht, die mit Molekularstrahlepitaxie (MBE) gewachsen wurden. Hierbei werden insbesondere Ergebnisse über den Einluss geringer Stickstoffbeimischungen entweder direkt in den Quantenpunkten als auch in der Zwischenschicht vorgestellt. Während eine geringe Beimischung von Stickstoff in der Zwischenschicht die Struktur der darauffolgenden InAs-Quantenpunkte nicht wesentlich verändert und lediglich einen Einbau von Stickstoff in die InAs-Schicht bemerkt, führt der Stickstoffeinbau direkt in die Quantenpunktschicht zu drastischen Formänderungen und einer teilweisen Auflösung der Benetzungsschicht. Detaillierte XSTM-Daten der einzelnen Strukturen mit atomarer Auflösung werden gezeigt.