Regensburg 2004 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 44: Poster II
HL 44.56: Poster
Thursday, March 11, 2004, 16:30–19:00, Poster A
Intrinsische C-Dotierung von AlGaAs — •Volker Gottschalch1, Gunnar Leibiger1, Gabriele Benndorf2 und Dietmar Hirsch3 — 1Universität Leipzig, Institut für Anorganische Chemie, Linnestr. 3, 04103 Leipzig — 2Universität Leipzig, Institut für Experimentelle Physik II, Linnestr. 5 , 04103 Leipzig — 3Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V, Permoserstr. 15, 04303 Leipzig
Bei der MOVPE kann die intrinsische C-Dotierung zur Erzielung hoher Löcherkonzentrationen und definierter Dotierungsprofile genutzt werden.
Wir haben den C-Einbau bei der MOVPE von AlxGa1−xAs in Abhängigkeit der Mischkristallzusammensetzung, der Züchtungstemperatur und des V/III-Verhältnisses im System TMGa, TMAl, AsH3, bzw. TBAs untersucht. Die Charakterisierung des epitaktischen Materials erfolgte mittels Doppelkristalldiffraktometrie, Hallmessungen, Photolumineszenz, Ellipsometrie, Transmissionselektronen- und Kraftmikroskopie.
Löcherkonzentrationen von 1018 bis 1020 cm−3 konnten durch eine Variation des V/III-Verhältnisses von 50 bis 3 und der Wachstumstemperatur zwischen 600 und 540∘C reproduzierbar eingestellt werden. Ein Zusammenhang zwischen dem C-Einbau und der Mischkristallzusammensetzung wurde beobachtet.
Die erhalten Laserdaten an Doppel-QW-Strukturen (λ ∼ 1200 nm) mit Zn- bzw. C-dotierten Mantelschichten werden diskutiert.