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HL: Halbleiterphysik

HL 52: SiC II

Freitag, 12. März 2004, 12:15–13:00, H17

	12:15	HL 52.1	Wird Coimplantation von Donatoren (P, N) mit Si oder C in 4H-SiC dominiert vom Site-competition-Effekt oder der Erzeugung elektrisch neutraler Defekte? — •Frank Schmid und Gerhard Pensl
	12:30	HL 52.2	Störbandleitung in Al-dotiertem 6H-SiC — •Michael Krieger, Kurt Semmelroth und Gerhard Pensl
	12:45	HL 52.3	Low Density of Interface States in 4H-SiC MOS Capacitors Generated by Nitrogen Implantation — •Florin Ciobanu, Gerhard Pensl, Valeri Afanas’ev, and Günter Wagner