Berlin 2005 – scientific programme
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DS: Dünne Schichten
DS 23: Postersitzung I
DS 23.32: Poster
Friday, March 4, 2005, 16:00–18:30, Poster TU B
Herstellung und Charakterisierung von (BGa)As/(GaIn)As Nanoröhren — •Hendrik Paetzelt1, Jens Bauer1, Helmut Herrnberger2 und Volker Gottschalch1 — 1Universität Leipzig, Institut für Anorganische Chemie, Linnéstraße 3, 04103 Leipzig — 2Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V., Permoserstr. 15, 04303 Leipzig
Planare AIIIBV Heterostrukturen mit definierten Spannungen werden in Verbindung mit dem materialselektiven Ätzen zur Herstellung von Nanoröhren, Mikroreaktoren und Aktoren verwendet. Wir studierten die Röhrenbildung an
BxGa1−xAs/GayIn1−yA s/AlAs/GaAs Schichtfolgen. Die Präparation der BxGa1−xAs/GayIn1−yA s-Nanoröhren verschiedener Dimension und Geometrie erfolgte aus MOVPE-Material. Als Quellen kamen Triethylbor, Trimethylgallium, Trimethylindium und Arsin zum Einsatz. Sowohl über die Bor- und Indiumkonzentration (x = 0 ...0.03 und y = 0 ...0.3) als auch über die Dicken der einzelnen Schichten wurden definierte Spannungsverhältnisse eingestellt. Die gemessenen Nanoröhrendurchmesser stimmen gut mit den durchgeführten Modellrechnungen überein. Die Rollenbildung an weiteren MOVPE-Schichtsystemen und die erzielten optischen Daten werden vorgestellt.