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DS: Dünne Schichten

DS 23: Postersitzung I

DS 23.32: Poster

Freitag, 4. März 2005, 16:00–18:30, Poster TU B

Herstellung und Charakterisierung von (BGa)As/(GaIn)As Nanoröhren — •Hendrik Paetzelt¹, Jens Bauer¹, Helmut Herrnberger² und Volker Gottschalch¹ — ¹Universität Leipzig, Institut für Anorganische Chemie, Linnéstraße 3, 04103 Leipzig — ²Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V., Permoserstr. 15, 04303 Leipzig

Planare A^IIIB^V Heterostrukturen mit definierten Spannungen werden in Verbindung mit dem materialselektiven Ätzen zur Herstellung von Nanoröhren, Mikroreaktoren und Aktoren verwendet. Wir studierten die Röhrenbildung an

B_xGa_1−xAs/Ga_yIn_1−yA s/AlAs/GaAs Schichtfolgen. Die Präparation der B_xGa_1−xAs/Ga_yIn_1−yA s-Nanoröhren verschiedener Dimension und Geometrie erfolgte aus MOVPE-Material. Als Quellen kamen Triethylbor, Trimethylgallium, Trimethylindium und Arsin zum Einsatz. Sowohl über die Bor- und Indiumkonzentration (x = 0 ...0.03 und y = 0 ...0.3) als auch über die Dicken der einzelnen Schichten wurden definierte Spannungsverhältnisse eingestellt. Die gemessenen Nanoröhrendurchmesser stimmen gut mit den durchgeführten Modellrechnungen überein. Die Rollenbildung an weiteren MOVPE-Schichtsystemen und die erzielten optischen Daten werden vorgestellt.