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Berlin 2005 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 17: Poster Ib

HL 17.51: Poster

Friday, March 4, 2005, 16:30–19:00, Poster TU F

MOVPE-Darstellung freistehender AIIIBV-Nanodrähte — •Jens Bauer1, Volker Gottschalch1, Helmut Herrnberger2 und Gerald Wagner21Universität Leipzig, Institut für Anorganische Chemie, Linnéstraße 3, 04103 Leipzig — 2Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V., Permoserstr. 15, 04303 Leipzig

Halbleitende Nanostrukturen bilden die Grundlage für neuartige optoelektronische Bauelemente. Dabei nehmen freistehende Nanodrähte eine Hauptrolle ein, da Heterostrukturen integriert werden können und die Morphologie der Nanodrähte eine einfache Kontaktierung erlaubt. Im Bereich einiger Nanometer lassen sich Quanteneffekte ausnutzen. Im Beitrag werden die Arbeiten zur Darstellung freistehender AIIIBV-Nanodrähte mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) in einem „bottom-up“-Prozess vorgestellt. Die Grundzüge des Nanodrahtwachstums beruhen auf dem für Elementhalbleiter bekannten „vapor-liquid-solid“ (VLS)-Wachstumsprozess, der für AIIIBV-Halbleiter und die MOVPE einiger Modifikationen bedarf. Es werden Untersuchungen zur Substratpräparation mit Goldpartikeln vorgestellt und der Einfluss von Wachstumsparametern (Temperatur, Partialdrücke, Wachstumszeit) auf die Realstruktur diskutiert. Schließlich wird auf erste Ergebnisse zur physikalischen Charakterisierung der Nanodrähte eingangen.

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