Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 46: Quantenpunkte und -dr
ähte: Herstellung und Charakterisierung I

HL 46.4: Vortrag

Montag, 7. März 2005, 17:30–17:45, TU P164

Größenkontrolle von InAs Quantum Dashes — •Andres Sauerwald¹, Tilmar Kümmell¹, Gerd Bacher¹, André Somers², Ruth Schwertberger², Johann Peter Reithmaier² und Alfred Forchel² — ¹Werkstoffe der Elektrotechnik, Universität Duisburg-Essen, 47057 Duisburg, Germany — ²Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg, Germany

Gerade für selbstorganisierte Strukturen besteht reges Interesse, die Größe über Wachstumsparameter kontrolliert einzustellen. Wir untersuchen selbstorganisierte InAs/InGaAlAs Quantum Dashes (QDashes) mit unterschiedlichen nominellen InAs-Schichtdicken. Mit Raster-Transmissions-Elektronen-Mikroskopie (RTEM) können Größe, Form und chemische Zusammensetzung präzise bestimmt werden. Es zeigt sich, dass die absolute Höhe der QDashes für alle Proben proportional zur nominellen InAs-Schichtdicke ist, während das Höhe-Basis Verhältnis des pyramidenförmigen Querschnitts sich als unabhängig von der nominellen InAs Schichtdicke erweist. Durch Änderung eines einzigen Wachstumsparameters kann somit die Größe der QDashes über einen weiten Bereich (Faktor 3) kontrolliert und damit die Emissions-Wellenlänge zwischen 1.3 µ m und 1.9 µ m eingestellt werden.