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O: Oberflächenphysik
O 36: Postersitzung (Elektronische Struktur, Grenzfl
äche fest-flüssig, Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen, Nanostrukturen, Oberfl
ächenreaktionen, Teilchen und Cluster, Struktur und Dynamik reiner Oberfl
ächen)
O 36.40: Poster
Monday, March 7, 2005, 15:00–18:00, Poster TU F
STM-Spitzeninduzierte CVD von Fe- und Cu-Nanostrukturen — •Erik Freier1, Matthias Berse1, Martin Kneppe1, Guido Walther1, Ulrich Köhler1, Marie-Katrin Schröter2 und Stephan Hermes2 — 1Experimentalphysik IV/Oberflächenphysik, Ruhr-Universität Bochum, 44780 Bochum — 2Anorganische Chemie II, Ruhr-Universität Bochum, 44780 Bochum
In den hier vorgestellten Experimenten wurde die Erzeugung kleiner Strukturen durch direktes Schreiben mit dem STM untersucht. Die Spitzeninduzierte CVD bedient sich dabei gasförmiger Precursor, um aus diesen gezielt Metalle lokal auf der Substratoberfläche abzuscheiden. Insbesonders lassen sich sowohl Punkt- als auch Linienstrukturen aus Eisen bzw. Kupfer auf Si, InAs und GaAs erzeugen. Als Precursorgase dienten dabei Eisenpentacarbonyl und Bis(N,N−dimethylaminopropan−2−ol)Cu. Weiterhin wurde das rein thermisch induzierte Wachstum von Kupfer aus der Gasphase auf Si bzw. SiO2 und aufgesputterten Zinkoxid-Schichten untersucht. Die so erzeugten Systeme können sowohl im Halbleiter-/Elektronikbereich als auch für katalytische Zwecke eingesetzt werden.