Berlin 2005 – scientific programme
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T: Teilchenphysik
T 603: Halbleiterdetektoren III
T 603.7: Talk
Tuesday, March 8, 2005, 18:00–18:15, TU H112
Parametermessungen der neuen DEPFET-Detektor Generation — •Stefan Wölfel1, Sven Herrmann1, Peter Lechner1, Matteo Porro2, Rainer H. Richter3, Lothar Strüder1 und Johannes Treis1 — 1MPI für extraterrestrische Physik, Halbleiterlabor, Garching — 2Politecnico di Milano, Milano — 3MPI für Physik,Halbleiterlabor, München
Der am Halbleiterlabor des MPI für Physik und extraterrestrische Physik entwickelte und produzierte Silizium DEPFET Detektoren dient zum Nachweis ionisierender Teilchen.
Das Detektorkonzept bietet mehrere Vorteile. Zum einen wird durch eine vollständige Depletierung des Siliziums eine hohe Nachweiswahrscheinlichkeit erreicht. Zum anderen ermöglicht eine integrierte Verstärkerstufe auf dem Detektor eine gute Energieauflösung. Desweiteren kann aufgrund der Topologie eines DEPFETs ein Matrixbetrieb mit zeilenweiser Auslese verwirklicht werden. Die wichtigsten Eigenschaften des integrierenden Detektors sind Ladungssammlungseffizienz, Auslese- und Clearverhalten.
Vorgestellt werden Untersuchungen zu den Betriebsparametern und Besonderheiten verschiedener Designvarianten der produzierten Detektoren.