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T: Teilchenphysik

T 603: Halbleiterdetektoren III

T 603.7: Vortrag

Dienstag, 8. März 2005, 18:00–18:15, TU H112

Parametermessungen der neuen DEPFET-Detektor Generation — •Stefan Wölfel¹, Sven Herrmann¹, Peter Lechner¹, Matteo Porro², Rainer H. Richter³, Lothar Strüder¹ und Johannes Treis¹ — ¹MPI für extraterrestrische Physik, Halbleiterlabor, Garching — ²Politecnico di Milano, Milano — ³MPI für Physik,Halbleiterlabor, München

Der am Halbleiterlabor des MPI für Physik und extraterrestrische Physik entwickelte und produzierte Silizium DEPFET Detektoren dient zum Nachweis ionisierender Teilchen.

Das Detektorkonzept bietet mehrere Vorteile. Zum einen wird durch eine vollständige Depletierung des Siliziums eine hohe Nachweiswahrscheinlichkeit erreicht. Zum anderen ermöglicht eine integrierte Verstärkerstufe auf dem Detektor eine gute Energieauflösung. Desweiteren kann aufgrund der Topologie eines DEPFETs ein Matrixbetrieb mit zeilenweiser Auslese verwirklicht werden. Die wichtigsten Eigenschaften des integrierenden Detektors sind Ladungssammlungseffizienz, Auslese- und Clearverhalten.

Vorgestellt werden Untersuchungen zu den Betriebsparametern und Besonderheiten verschiedener Designvarianten der produzierten Detektoren.