Regensburg 2007 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

DS: Fachverband Dünne Schichten

DS 28: Silicon Thin Films and Interfaces

DS 28.2: Talk

Friday, March 30, 2007, 11:45–12:00, H32

Thermische CVD-Abscheidung von Si-C-Schichten — Oliver Dirsus, •Dieter Mergel und Volker Buck — AG Dünnschicht-Technologie, Fb Physik, Universität Duisburg-Essen, 45117 Essen

Es wurden Si-C- Schichten bei Temperaturen von 880 bis 1050°C auf Si- und Quarz-Substraten abgeschieden und mit Röntgenbeugung, RBS, EDX und REM untersucht. Außerdem wurden Wachstumsraten, Massendichte und Schichtspannung bestimmt.

Das Schichtwachstum ist thermisch aktiviert und auf Si-Substraten schneller als auf Quarz-Substraten. Die Schichten enthalten mehr C als Si. Oberhalb von 930°C entstehen SiC-Körner. Bei den Schichtspannungen lassen sich thermische und intrinsische Anteile unterscheiden.