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DS: Fachverband Dünne Schichten

DS 28: Silicon Thin Films and Interfaces

DS 28.2: Vortrag

Freitag, 30. März 2007, 11:45–12:00, H32

Thermische CVD-Abscheidung von Si-C-Schichten — Oliver Dirsus, •Dieter Mergel und Volker Buck — AG Dünnschicht-Technologie, Fb Physik, Universität Duisburg-Essen, 45117 Essen

Es wurden Si-C- Schichten bei Temperaturen von 880 bis 1050°C auf Si- und Quarz-Substraten abgeschieden und mit Röntgenbeugung, RBS, EDX und REM untersucht. Außerdem wurden Wachstumsraten, Massendichte und Schichtspannung bestimmt.

Das Schichtwachstum ist thermisch aktiviert und auf Si-Substraten schneller als auf Quarz-Substraten. Die Schichten enthalten mehr C als Si. Oberhalb von 930°C entstehen SiC-Körner. Bei den Schichtspannungen lassen sich thermische und intrinsische Anteile unterscheiden.