Dresden 2009 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 41: GaN: preparation and characterization II

HL 41.4: Vortrag

Donnerstag, 26. März 2009, 10:15–10:30, BEY 154

Kathodolumineszenz-Mikroskopie an InGaN/GaN Pyramiden — •Frank Bertram¹, Sebastian Metzner¹, Jürgen Christen¹, Michael Jetter², Clements Wächter² und Peter Michler² — ¹Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg — ²Institut für Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflächen, Stuttgart Universität

Die optischen Eigenschaften von InGaN Nanostruturen wurden mittels hochorts- und spektralaufgelöster Kathodolumineszenz untersucht. Regelmäßig in Feldern angeordnete, hexagonale GaN Pyramiden wurden auf einem GaN/Saphir-Substrat mit Hilfe von MOVPE und Photolithographie gewachsen. Die sechs semipolaren {1101} Pyramidenfacetten wurden mit einem nominell 6 nm dicken InGaN SQW überwachsen. Das ortsintegrale KL Spektrum zeigt eine breite InGaN Lumineszenz zwischen 1.9-2.6eV sowie eine sehr intensive (D⁰,X)-Linie vom GaN. Die InGaN Lumineszenz stammt ausschließlich von den Pyramiden. An der Basis und insbesondere an der Pyramidenspitze leuchtet der InGaN-SQW besonders intensiv. Die InGaN-KL ist an der Basis deutlich durch horizontal verlaufende Intensitätssprünge moduliert welche mit Wellenlängenänderungen einhergehen. Geringere Intensitäten korrelieren eindeutig mit kürzeren Wellenlängen. Die Wellenlänge variiert hier um einen Wert von 55 0nm. Im oberen Pyramidendrittel spaltet die InGaN Bande in zwei separate Linien auf. Eine Wellenlänge um 590 nm tritt bevorzugt an den Kanten/Spitze auf. Dagegen tritt eine KL von 530 nm im Facettenzentrum auf. Diese Änderungen lassen sich mit Dicken-/Konzentrationsänderungen des QW erklären.