München 2009 – wissenschaftliches Programm

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T: Fachverband Teilchenphysik

T 56: Halbleiterdetektoren 2

Dienstag, 10. März 2009, 16:45–19:15, A125

	16:45	T 56.1	Korrelation zwischen Clusterdefekten und Sperrstrom in Siliziumdetektoren — •Alexandra Junkes, Eckhart Fretwurst, Doris Eckstein und Ioana Pintilie
	17:00	T 56.2	Methode zur Beurteilung von Strahlenschäden im ATLAS Pixel Sensor durch kontinuierliche Messungen der Depletionstiefe — •Andre Schorlemmer, Jens Weingarten, Reiner Klingenberg und Claus Gößling
	17:15	T 56.3	Thermische Studien zu DEPFET-Sensoren im SuperBelle-Experiment — •Oksana Brovchenko, Tobias Barvich, Alexander Dierlamm, Thomas Müller und Hans-Jürgen Simonis
	17:30	T 56.4	Untersuchung von Strahlenschäden in Proton-bestrahlten epitaktischen Siliziumdetektoren — •Jörn Lange, Eckhart Fretwurst und Gunnar Lindström
	17:45	T 56.5	Studien zur Positionsrekonstruktion für aktive Pixelsensoren mit Multivariaten Methoden — •Lars Reuen, Norbert Wermes, Hans Krüger, Fabian Huegging, Johannes Schneider, Robert Kohrs und Manuel Koch
	18:00	T 56.6	Comparison of Electrical Properties and Charge Collection Efficiency between Diamond, 3D-Silicon, and Planer Silicon Pixel Detectors — •Jieh-Wen Tsung, Markus Mathes, Fabian Hügging, and Norbert Wermes
	18:15	T 56.7	Untersuchung der Schwellspannungsveränderung von DEPFET-Sensoren durch Röntgenstrahlung — •Andreas Ritter, Tobias Barvich, Wim de Boer, Alexander Dierlamm, Thomas Müller, Hans-Jürgen Simonis und Pia Steck
	18:30	T 56.8	Two-dimensional Numerical Modelling of MOS Test-Structures — •Ajay. K. Srivastava, E. Fretwurst, R. klanner, and H. Perrey
	18:45	T 56.9	Entwicklung eines schnellen Auslesesystems für DEPFET-Sensoren — •Manuel Koch, Norbert Wermes, Fabian Hügging, Peter Fischer, Ivan Peric, Christian Kreidl und Hans Krüger
	19:00	T 56.10	Homogenität und Löschverhalten von DEPFET-Pixelsensoren — •Kristof Schmieden, Lars Reuen, Robert Kohrs, Manuel Koch, Hans Krüger und Norbert Wermes