München 2009 – scientific programme
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T: Fachverband Teilchenphysik
T 57: Halbleiterdetektoren 3
T 57.4: Talk
Wednesday, March 11, 2009, 17:30–17:45, A125
Untersuchungen zur Oberflächenschädigung von Si-Sensoren durch Röntgenstrahlung — Eckhart Fretwurst1, Friederike Januschek1, Robert Klanner1, Hanno Perrey1, Joana Pintilie2, Fabian Renn3 und •Thorben Theedt1 — 1Institut für Experimentalphysik, Universität Hamburg — 2National Institute of Materials Physics, Romania — 3Sommerstudent am DESY, Universität Heidelberg
Wenn der Röntgenlaser XFEL am Deutschen Elektronensynchrotron (DESY) ab 2013 in Betrieb geht, werden die geplanten Silizium-Pixeldetektoren einem Fluss von 1016 Photonen/cm2 bei einer Energie von 12 keV ausgesetzt, was einer Oberflächendosis von etwa 109 Gy entspricht.
Zur Untersuchung der auftretenden Effekte wurde eine Anzahl von Teststrukturen (gate-controlled Dioden) am F4-Strahl des DORIS-Speicherrings mit 10 keV Photonen im Dosisbereich von 1 kGy bis 1 GGy bestrahlt. Mit Hilfe von C/V-, I/V- und TSC-Messungen wurde die Dosisabhängigkeit der Flachbandspannung, des Oxid-Oberflächenstroms und der Oberflächenzustandsdichte bestimmt.