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T: Fachverband Teilchenphysik

T 57: Halbleiterdetektoren 3

T 57.4: Vortrag

Mittwoch, 11. März 2009, 17:30–17:45, A125

Untersuchungen zur Oberflächenschädigung von Si-Sensoren durch Röntgenstrahlung — Eckhart Fretwurst¹, Friederike Januschek¹, Robert Klanner¹, Hanno Perrey¹, Joana Pintilie², Fabian Renn³ und •Thorben Theedt¹ — ¹Institut für Experimentalphysik, Universität Hamburg — ²National Institute of Materials Physics, Romania — ³Sommerstudent am DESY, Universität Heidelberg

Wenn der Röntgenlaser XFEL am Deutschen Elektronensynchrotron (DESY) ab 2013 in Betrieb geht, werden die geplanten Silizium-Pixeldetektoren einem Fluss von 10¹⁶ Photonen/cm² bei einer Energie von 12 keV ausgesetzt, was einer Oberflächendosis von etwa 10⁹ Gy entspricht.

Zur Untersuchung der auftretenden Effekte wurde eine Anzahl von Teststrukturen (gate-controlled Dioden) am F4-Strahl des DORIS-Speicherrings mit 10 keV Photonen im Dosisbereich von 1 kGy bis 1 GGy bestrahlt. Mit Hilfe von C/V-, I/V- und TSC-Messungen wurde die Dosisabhängigkeit der Flachbandspannung, des Oxid-Oberflächenstroms und der Oberflächenzustandsdichte bestimmt.