Regensburg 2010 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 12: Group-III-Nitrides: Optical Properties I

HL 12.5: Vortrag

Montag, 22. März 2010, 15:00–15:15, H15

Ein Indium Defekt Komplexes und die Lumineszenzeigenschaften von GaInN und AlInN — •Patrick Keßler¹, Katharina Lorenz^2,3, Jens Niederhausen⁶, Bettina Steitz¹, Joao G. Correia^2,3,4, Karl Johnston^4,5, Reiner Vainden¹ und ISOLDE Collaboration⁴ — ¹Helmholtz Institut für Strahlen und Kernphysik, Universität Bonn — ²Instituto Tecnólogico e Nuclear, P-2686-953 Sacavém, Portugal — ³Centro de Fisica Nuclear da Universidade de Lisboa, Portugal — ⁴PH dept, CERN, Schweiz — ⁵Technische Physik, Universität des Saarlands, Saarbrücken — ⁶Physikalisches Institut der Humboldt Universität, Berlin

LEDs aus GaN zeigen trotz hoher Versetzungsdichte eine hohe Lichtausbeute. Dabei werden meist in der Anwendung zusammengesetzte Systeme wie AlInN oder GaIN verwendet. Die Rolle des Indiums im Lumineszenzeprozess wird mit der Methode der gestörten Winkelkorrelation (PAC) untersucht. Frühere Messungen zeigen einen Defektkomplex der Sonde ¹¹¹In und einer möglichen Stickstofflehrstelle, der bis zu hohen Temperaturen stabil ist. Als Konkurrenz zum strahlungslosen Übergang an Versetzungen, könnte der Komplex eine konkurrierende Exzitonenfalle sein, die die Lichtausbeute positiv beeinflusst.

Um weitere Informationen über den Komplex zu erhalten, werden ¹¹¹In mit ^111mCd Messungen verglichen, um den Einfluss eines möglichen äfter effect" des Zerfalls zu untersuchen. Dieser kann auftreten, wenn nach dem Elekroneneinfang ein Loch in der Atomhülle zurückbleibt und wieder aufgefüllt wird. Zusätzlich werden Ergebnisse von e⁻-γ-Korrelationsmessungen vorgestellt.