Regensburg 2010 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 34: Poster I: III-V Semiconductors

HL 34.21: Poster

Dienstag, 23. März 2010, 18:30–20:30, Poster D2

Winkelkorrelationsuntersuchungen an ¹⁷²Lu(¹⁷²Yb) in GaN und AlN und Messung bei tiefen Temperaturen — •Riccardo Valentini¹, Karl Johnston^2,3, Reiner Vianden¹ und Isolde Collaboration³ — ¹Helmholtz - Institut für Strahlen- und Kernphysik der Universität Bonn, Nußallee 14-16, 53115 Bonn — ²Universität des Saarlandes, 66041 Saarbrücken — ³CERN, 1211 Genf 23, Schweiz

Für optoelektronische Bauteile werden Halbleiter mit großer Bandlücke verwendet, die mit Seltenen Erden dotiert sind. Um deren Verhalten nach der Implantation zu untersuchen, hat sich die Methode der γ-γ-Winkelkorrelation (PAC) bewährt. Ein geeignetes Isotop zur Untersuchung solcher Halbleiter ist ¹⁷²Yb.

Die Temperaturabhängigkeit der Hyperfeinfelder für ¹⁷²Lu(¹⁷²Yb) in GaN wurde untersucht. Der Verlauf bei Temperaturen unter 50 K konnte bisher noch nicht eindeutig geklärt werden. Bei tiefen Temperaturen zwischen 13 K und 295 K wird generell eine Zunahme der Wechselwirkungsfrequenz erwartet. Hier konnte insbesondere das Vorzeichen des Gitterfeldgradienten bestimmt werden.

Es wurden erstmals temperaturabhängige Untersuchungen der Hyperfeinfelder für ¹⁷²Lu(¹⁷²Yb) in AlN durchgeführt. Die Ergebnisse werden präsentiert und diskutiert.