Regensburg 2010 – scientific programme
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HL: Fachverband Halbleiterphysik
HL 34: Poster I: III-V Semiconductors
HL 34.21: Poster
Tuesday, March 23, 2010, 18:30–20:30, Poster D2
Winkelkorrelationsuntersuchungen an 172Lu(172Yb) in GaN und AlN und Messung bei tiefen Temperaturen — •Riccardo Valentini1, Karl Johnston2,3, Reiner Vianden1 und Isolde Collaboration3 — 1Helmholtz - Institut für Strahlen- und Kernphysik der Universität Bonn, Nußallee 14-16, 53115 Bonn — 2Universität des Saarlandes, 66041 Saarbrücken — 3CERN, 1211 Genf 23, Schweiz
Für optoelektronische Bauteile werden Halbleiter mit großer Bandlücke verwendet, die mit Seltenen Erden dotiert sind. Um deren Verhalten nach der Implantation zu untersuchen, hat sich die Methode der γ-γ-Winkelkorrelation (PAC) bewährt. Ein geeignetes Isotop zur Untersuchung solcher Halbleiter ist 172Yb.
Die Temperaturabhängigkeit der Hyperfeinfelder für 172Lu(172Yb) in GaN wurde untersucht. Der Verlauf bei Temperaturen unter 50 K konnte bisher noch nicht eindeutig geklärt werden. Bei tiefen Temperaturen zwischen 13 K und 295 K wird generell eine Zunahme der Wechselwirkungsfrequenz erwartet. Hier konnte insbesondere das Vorzeichen des Gitterfeldgradienten bestimmt werden.
Es wurden erstmals temperaturabhängige Untersuchungen der Hyperfeinfelder für 172Lu(172Yb) in AlN durchgeführt. Die Ergebnisse werden präsentiert und diskutiert.