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HL: Fachverband Halbleiterphysik
HL 44: Poster Session I
HL 44.29: Poster
Tuesday, March 15, 2011, 18:00–21:00, P3
Temperaturabhängigkeit des elektrischen Feldgradienten in AlxGa1−xN — •Ronnie Simon1, Sahar Hamidi1, Patrick Kessler1, Sérgio Miranda2, Katharina Lorenz2, Reiner Vianden1 und ISOLDE Collaboration3 — 1Helmholtz Institut für Strahlen- und Kernphysik, Universität Bonn — 2Instituto Tecnológico e Nuclear, 2686-953 Sacavém, Portugal — 3CERN, Genf, Schweiz
Ternäre Verbindungen von Gruppe III-Nitriden, unter anderem das hier untersuchte AlxGa1−xN, finden zahlreiche Anwendungen in optoelektronischen Bauteilen wie LEDs.
In Abhängigkeit vom Al-Anteil x wurden Messungen mit der gestörten γ-γ-Winkelkorrelation (PAC) durchgeführt. Dazu wurden 111mCd(111Cd), 117Cd(117In) und 111In(111Cd) als Sonden verwendet. Die bei der Implantation der Sonden entstehenden Gitterschäden wurden bei 1200K ausgeheilt. Die Auswirkungen des Al-Anteils in AlxGa1−xN auf den elektrischen Feldgradienten des Gitters wurden untersucht. Dabei wurden Messungen bei Temperaturen zwischen 300K und 1000K durchgeführt.
PAC Messungen mit 111In in GaN haben gezeigt, dass es zur Bildung eines Defektkomplexes aus einem substitutionellen Indiumatom und einer Stickstoffleerstelle kommt (In-VN). In-VN weist ein reversibles Temperaturverhalten auf und ist bis zu hohen Temperaturen stabil. Dieser Komplex ist auch in AlxGa1−xN beobachtbar und zeigt eine hohe Abhängigkeit vom Al-Anteil x.