Münster 2017 – wissenschaftliches Programm
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T: Fachverband Teilchenphysik
T 67: Pixeldetektoren 3
T 67.5: Vortrag
Dienstag, 28. März 2017, 17:45–18:00, VSH 116
Vergleichsmessungen von planaren n-in-n und n-in-p Silizium Pixelsensoren — Silke Altenheiner1, Karola Dette1,2, •Sascha Dungs1, Andreas Gisen1, Claus Gössling1, Marius Grothe1, Reiner Klingenberg1, Kevin Kröninger1, Raphael Michallek1 und Mareike Weers1 — 1TU Dortmund, Experimentelle Physik IV — 2CERN
Pixelsensoren lassen sich aus verschiedenen Substraten realisieren.
Bei planaren n-in-n Sensoren wird ein n-dotierter, bei den n-in-p Sensoren dagegen ein p-dotierter Silizium Wafer verwendet.
Die Pixelimplantationen bestehen in beiden Fällen aus einem n-dotierten Substrat.
Um Gemeinsamkeiten und Unterschiede herauszustellen, wurden Design und Sensoren beider Arten untersucht und miteinander verglichen.