Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 16: GaN I

Dienstag, 24. März 1998, 10:30–13:00, H15

	10:30	HL 16.1	Optische Verstärkung in kubischen GaN Epischichten — •J. Holst, L. Eckey, A. Hoffmann, I. Broser, B. Schöttker, D.J. As, D. Schikora und K. Lischka
	10:45	HL 16.2	Wachstum und Charakterisierung von InGaN-Schichten auf GaN — •A. Ramakrishnan, D. Behr, N. Herres, U. Kaufmann, M. Kunzer, M. Maier, S. Müller, H. Obloh und J. Wagner
	11:00	HL 16.3	Perspektiven für GaN-basierende Heterostruktur-Bauelemente — •F. Compagnone, G. Zandler, J. A. Majewsky, M. Städele, R. Oberhuber und P. Vogl
	11:15	HL 16.4	"Uber die Natur der gelben Lumineszenz: Vergleichende ortsaufgel"oste Kathodolumineszenzmessungen an selbstorganisierten GaN-Pyramiden und planaren GaN-Epischichten — •D. Rudloff, F. Bertram, T. Riemann, M. Schmidt, J. Christen, L. Eckey, A. Hoffmann, and K. Hiramatsu
	11:30	HL 16.5	Elektrische Eigenschaften von GaN nach Mg+- und Ca+-Ionenimplantation — •A. Wenzel, B. Mensching, C. Liu und B. Rauschenbach
	11:45	HL 16.6	Optische Charakterisierung von InGaN-Heterostrukturen mit Photothermischer Deflektionsspektroskopie — •C. R. Miskys, J. W. Kim, O. Ambacher, M. Stutzmann, F. Scholz und J. Off
	12:00	HL 16.7	Gitterplatzbestimmung von ionenimplantiertem Na in GaN und AlN — •M. Dalmer, M. Restle, H. Hofsäss, M.D. Bremser und R.F. Davis
	12:15	HL 16.8	Gitterplatzbestimmung und Lumineszenzverhalten der Seltenen Erden in Galliumnitrid — •U. Vetter, M. Dalmer, C. Ronning, A. Stötzler, H. Hofsäss, M.D. Bremser und R.F. Davis
	12:30	HL 16.9	n-Dotierung von GaN und AlGaN für elektrische Bauelemente — •R Dimitrov, H.P. Fesl, L. Görgens, O. Ambacher, M. Stutzmann, W. Rieger und G. Tränkle
	12:45	HL 16.10	Direkte Beobachtung von Nanoclustern in MBE-InGaN mittels hoch-ortsaufgelöster Kathodolumineszenz–Mikroskopie — •F. Bertram, M. Schmidt, T. Riemann, J. Christen, T. Boettcher, S. Einfeldt und D. Hommel